RD-200硅半导体辐射检测仪RD200 主要特点 ◆有多个探测器，灵敏度高，响应速度快 ◆装有高清晰度的彩色画面，有机EL 显示屏 ◆耐冲击性强 ◆量程宽，为0.1 μSv/h ～ 999.9mSv/h ◆小巧轻便，可用单手操作，操作简单 技术指标 ◆探测射线：X 射线，γ 射线 ◆探测器：硅半导体 ◆探测量程：0.1 μSv/h ～ 999.9 mSv/h ◆探测精度：≤ ±10 % （ 2μSv/h ～ 999.9 mSv/h：标准 137Cs） ≤ ±20 % （ 0.1μSv/h ～ 1μSv/h：标准 137Cs） ◆探测能量范围：50 keV ～ 6 MeV ◆线性：≤ ±30 % （50 keV ～ 1.5 MeV：标 准 137Cs） ◆方向特性：≤ ±25 % （ 水平：±180°垂直 : 60 ～ +240°：标准 137Cs） ◆显示屏：彩色有机 EL 显示屏 （5 位） ◆显示范围：0.00μSv/h ～ 999.99 mSv/h ◆显示功能：显示単位 （μSv/h / mSv/h） 自动切换 溢出报警显示 显示电池电压低下的报警显示 ◆电池寿命：连续显示：3 小时以上 ◆间歇显示：12 小时以上（5 分钟当中只显示1 分） ◆数据输出：红外线通讯 （测量数据为600 点） ◆抗冲击性：从1.5 m 垂直落下时的显示变动在±10% 以内 ◆防水功能：生活防水 ◆电源：镍氢充电电池1节或碱性电池5号1节 ◆工作温度：-10 ～ +40 ℃ / 14 ～ 104°F ◆工作湿度：≤ 90 %RH （ 无结露） ◆尺寸：65（W） × 150（H）× 29（D） mm 2.56（W）× 5.9（H）× 1.14（D） in. ◆重量：约 300 g / 0.66 lb |
